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US5U1TR |
TUMT5 | Rohm Semiconductor | 询价QQ： |
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US5U1TR参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式） 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：80pF @ 10V 功率 - 最大值：700mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： LED - 电路板553-0777-200F LED - 高亮度GM2BB30BM0C 晶体管(BJT) BC846BDW1T1G 香蕉式带尖头 - 5700-4 保险丝0232005.MXE125P 晶体管(BJT) BC856BDW1T3G 同轴，RFRECE-20369-001E-01 LED - 电路板553-0221-004F 晶体管(BJT) BC856BDW1T1G Linear - ISO124P |
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